本研究针对超薄Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜在铁电存储器应用中存在的厚度限制与唤醒效应问题，通过对比环戊二烯基(CP)与四乙基甲基氨基(TEMA)前驱体在原子层沉积(ALD)中的性能差异，发现CP前驱体在330°C高温沉积下可实现5 nm厚度薄膜的稳定铁电性，无需唤醒过程，且 ...
针对 GaN HEMTs 存在的大栅漏电流、严重栅滞后及阈值电压固定等问题，研究人员采用电子束蒸发技术开展 Hf0.5Zr0.5O2（HZO）铁电集成 HEMT（Fe-HEMTs）研究。制备的 20 nm HZO 器件具优异亚阈值摆幅等性能，阈值电压可调，为相关器件发展提供新途径。 在电子信息领域 ...
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