全球存储技术起源于美国，此后经历了两次区域转移。1969 年，美国加州 Advanced Memory System 公司成功生产出世界上首款 DRAM ...

TrendForce 数据显示，英伟达与 AMD AI 芯片的 HBM 技术路线呈现同步迭代、分层竞争特征。2022-2025 年周期内，双方 HBM 规格从 HBM2e/HBM3（8hi）升级至 HBM3e（8hi/12hi），单芯片 HBM 容量从 80-128GB 提升至 288GB+。

TMTPOST -- China’s leading dynamic random-access memory (DRAM) chipmaker, ChangXin Memory Technologies (CXMT) Corp, said on Tuesday it plans to raise 29.5 billion yuan ($4.22 billion) through an ...

对于传统DRAM未来的发展，如Techinsights所说，到目前为止，我们已经看到了 8F2 和 6F2 DRAM Cell设计，其中 unit cell包括 1T（晶体管）和 1C（电容器）。这种 1T+1C 单元设计将用于未来几代 DRAM 的 DRAM 单元设计。然而，由于工艺和布局的限制，DRAM 厂商一直在开发 4F2 单元结构，例如 1T DRAM 或无电容器 DRAM ...

据中国贸易救济信息网，2025年12月29日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件（Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof）启动337调查。韩国Samsung Elect ...

3D ...

存储器（Memory）是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质 不同，可以分为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电 路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积 小 ...

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。 5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其 ...

相较之下，堆栈式DRAM则没有上述问题。 因此随着工艺节点越往前推进，沟槽式DRAM的采用者越来越少。 这也意味着长鑫存储的DRAM工艺节点由目前的19nm推进到17nm甚至更先进的制程就必须要解决这些问题。

如果一款固态硬盘没有DRAM，会发生什么事情呢？从结构上来说，曾经我们认为无DRAM的硬盘是不完整的。但是从目前的趋势来看，无DRAM的硬盘产品已经开始崭露头角，它们的性能与那些传统拥有DRAM的硬盘不相上下，同时却拥有更具竞争力的价格以及更轻的盘身 ...

DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期， H B M 助 力 D R A M 追 赶 A I 浪 潮 DRAM具备高速数据访问和传输能力 DRAM动态随机存取存储器的基本工作原理是在一个存储单元中存储一个比特（0或1）的信息，并通过刷新机制来保持 这些信息的稳定性。DRAM中的数据会在断电后很快 ...

DRAM器件能够促进汽车在安全性、功能性和便利性方面的发展。通过精心的设计和严格的过程管理，设计人员可利用DRAM的高带宽和大容量，来满足驾驶员信息系统、ADAS和自动驾驶汽车所需的计算能力。 汽车中包含的大多数处理器相对较小且对存储器要求适中 ...