自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）选择的晶体管技术。MOSFET用作主开关晶体管，并用作门控整流器来提高效率。本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET做了比较，以便选择最适合电源应用的开关。 自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数 ...

日本国立材料研究所的研究团队(NIMS)成功开发了世界上第一个金刚石 n型MOSFET，为创建专为极端条件设计的CMOS集成电路和基于 ...

高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须 ...

几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量的表述没有理解，没有汲取到 ...

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET ...

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 ...

金刚石CMOS集成电路发展迈出了一步。 NIMS 的一个研究小组开发出了世界上第一个 n 通道金刚石 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于金刚石的 CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路迈出了重要一步，使其能够在极端环境中使用，并 ...