前言传统分立器件方案常面临外围元件繁多、驱动电路复杂、PCB占用面积大等痛点。随着氮化镓功率器件技术的成熟，主流厂商纷纷转向驱动器+功率管的集成化设计，推出高压半桥GaN芯片。这种集成化设计显著简化系统架构，在效率、开关速度和功率密度上展现出明显优势 ...

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言：这家定义了全球晶圆代工产业上限的公司，几乎从不轻易[认输]，但唯独在GaN这件事上，台积电选择了收缩、止损、退出。这不是一次普通的产线调整，而是一个极具象征意义的产业信号：第三代半导体中，GaN正在经历一场被现实修正的集体叙事。作者 | 方文三图片来源 | ...

现在GaN芯片市场啥情况？大部分产能还在6寸晶圆上，8寸都少，技术门槛低到谁都能进来掺和一脚。大家拼到最后，比的就是谁更会“抠成本”。而中国厂商在这方面堪称“卷王之王”——同样的活，我们干得更便宜，效率还更高。台积电都卷不过，美国企业更没戏唱。

电动汽车氮化镓（GaN）功率半导体先锋VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B轮融资第二次交割顺利完成，共募集2,600万美元。 本轮由一家全球半导体领导者领投，HKMC作为战略投资者加入。

当下，氮化镓器件已然实现大规模部署，成为功率半导体产业里最受关注的分支之一。更高的开关频率、更小的器件体积、更高的能效与功率密度，让氮化镓正在重塑适配器、电源模块、服务器电源乃至车载电源的设计规范。然而，对一线工程师和产业观察者来说，氮化镓厂商众多、产品线复杂、技术路线各异，很难从零散的信息中看清各家厂商产品线路。

其他地区亦动作频频：新加坡科技研究局 (A*STAR)于2025年5月启动工业级200mm SiC开放式研发线。韩国EYEQ Lab于2025年9月完成该国首座8英寸SiC功率半导体量产设施。

1. 它在推理时速度更快，相比同量级参数的Stable Diffusion-v1.5，在512分辨率的生成速度从2.9秒缩短到0.13秒。 最近发布的一系列模型，如DALL-E 2、Imagen、Parti和Stable ...

此前，在“2025行家说三代半年会”现场，宏微科技CTO、宏微爱赛总经理崔崧提及到，宏微科技正以氮化镓功率器件切入机器人、数据中心等新赛道，可交付晶圆、单管、PCB三大类产品。

我们都知道华为做芯片很厉害，麒麟芯片已经媲美甚至超越高通苹果，但其实功率器件也是半导体很重要的一环。功率器件是电子装置中电能转换与电路控制的核心，是实现电压、频率、直流交流转换等功能的核心部件，主要包含二极管、晶闸管、MOSFET和IGBT等，但如二 ...

随着电源管理成为汽车电动化和AI数据中心等新兴电子应用的基础环节，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙化合物半导体正成为产业界关注的焦点，呈现出强劲的发展态势。聚焦IDM厂商、无晶圆厂企业和代工厂商的核心动态，近期一系列关键事件与趋势正持续重塑SiC与GaN的产业格局。 在SiC市场，汽车应用尤其是纯电动汽车逆变器始终是核心增长引擎，据Yole Group分析师预测，尽管2024-2025年 ...

华灿光电表示，本次募投项目结项后，公司将保留该项目的募集资金专户，对应的募集资金将继续存放于该募集资金专户，并将根据相关规定予以监管。后续公司将继续通过该募集资金专户支付该项目待支付的合同款项，直至该募集资金账户余额全部使用完毕。届时公司将注销该募集资金专户，相关募集资金监管协议亦将随之终止。

（1）日本三菱化学 成立时间：三菱化学成立于1994年，总部位于日本； 主要产品：氮化镓基板 核心技术：可实现无损伤粗糙度值小于Rms0.2nm的平坦表面、通过平面方向控制与原子阶控制，达到了适合外延生长的表面质量。特点具有均一高品位的结晶性与表面质量。