用二硫化钼制造更复杂的微型芯片，其主要障碍是制造。目前，Müller团队的全功能芯片的良率只有百分之几。 提高晶体管良率的一种方法是培育更均匀的二硫化钼薄膜。不幸的是，当它们从蓝宝石基板上转移到它们的目标晶圆上时，它们的缺陷就会出现。